maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AUIRF1324STRL7P
Référence fabricant | AUIRF1324STRL7P |
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Numéro de pièce future | FT-AUIRF1324STRL7P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRF1324STRL7P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 340A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.65 mOhm @ 195A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 240nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7590pF @ 24V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1324STRL7P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AUIRF1324STRL7P-FT |
IPB123N10N3GATMA1
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IPB80N06S2H5ATMA2
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IRFZ24SPBF
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TK14G65W,RQ
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XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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5CGXFC9A6U19A7N
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