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Infineon Technologies IPB027N10N3GATMA1

Numéro de pièce MFG
IPB027N10N3GATMA1
quantité disponible
47370 Pièces
Prix de référence
USD 2.467576
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPB027N10N3GATMA1.pdf
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IPB027N10N3GATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPB027N10N3GATMA1
Numéro de pièce future FT-IPB027N10N3GATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPB027N10N3GATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 275µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB027N10N3GATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPB027N10N3GATMA1-FT

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