maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPB027N10N3GATMA1
Référence fabricant | IPB027N10N3GATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPB027N10N3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPB027N10N3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 275µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB027N10N3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPB027N10N3GATMA1-FT |
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1010ZS
Infineon Technologies
AUIRF1018ES
Infineon Technologies
AUIRF1324S
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL
Infineon Technologies
AUIRF1324STRL7P
Infineon Technologies
AUIRF1404S
Infineon Technologies
AUIRF1404STRL
Infineon Technologies
AUIRF1404ZSTRL
Infineon Technologies
AUIRF1405ZS
Infineon Technologies
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel