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Infineon Technologies IPA65R190E6XKSA1

Name: IPA65R190E6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R190E6XKSA1
Price: 1.660048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (726 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPA65R190E6XKSA1

quantité disponible: 73880 Pièces

Prix de référence: USD 1.660048

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPA65R190E6XKSA1.pdf

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IPA65R190E6XKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPA65R190E6XKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPA65R190E6XKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™
IPA65R190E6XKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 730µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	34W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220 Full Pack
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA65R190E6XKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPA65R190E6XKSA1-FT

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