maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXKP24N60C5M
Référence fabricant | IXKP24N60C5M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXKP24N60C5M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IXKP24N60C5M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220ABFP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKP24N60C5M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXKP24N60C5M-FT |
R8002ANX
Rohm Semiconductor
IPA50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
SPA02N80C3XKSA1
Infineon Technologies
RCX081N20
Rohm Semiconductor
IPA032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
R5021ANX
Rohm Semiconductor
R6007KNX
Rohm Semiconductor
R5013ANXFU6
Rohm Semiconductor
R8005ANX
Rohm Semiconductor
R5005CNX
Rohm Semiconductor
M2GL050-1FG484
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel