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R8002ANX Image

Rohm Semiconductor R8002ANX

Numéro de pièce MFG
R8002ANX
quantité disponible
96920 Pièces
Prix de référence
USD 1.984
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
R8002ANX.pdf
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R8002ANX Caractéristiques

Référence fabricant R8002ANX
Numéro de pièce future FT-R8002ANX
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
R8002ANX Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 35W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220FM
Paquet / caisse TO-220-3 Full Pack
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
R8002ANX Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange R8002ANX-FT

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