maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXKP20N60C5M

| Référence fabricant | IXKP20N60C5M |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IXKP20N60C5M |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | CoolMOS™ |
| IXKP20N60C5M Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.1mA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1520pF @ 100V |
| Caractéristique FET | Super Junction |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-220ABFP |
| Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IXKP20N60C5M Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IXKP20N60C5M-FT |

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