maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPA50R500CEXKSA2
Référence fabricant | IPA50R500CEXKSA2 |
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Numéro de pièce future | FT-IPA50R500CEXKSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ CE |
IPA50R500CEXKSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 2.3A, 13V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 433pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 28W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 Full Pack |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA50R500CEXKSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPA50R500CEXKSA2-FT |
BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP615S2L
Infineon Technologies
BSP88E6327
Infineon Technologies
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP92P E6327
Infineon Technologies
BSP92PL6327HTSA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel