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Honeywell Aerospace HTNFET-T
- Numéro de pièce MFG
- HTNFET-T
- quantité disponible
- 72500 Pièces
- Prix de référence
- USD 347.2
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Honeywell Aerospace
- Brève description
- HTMOS™ MOSFET N-CH 55V 4-PIN
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- HTNFET-T.pdf
HTNFET-T Caractéristiques
| Référence fabricant | HTNFET-T |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-HTNFET-T |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | HTMOS™ |
| HTNFET-T Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 50W (Tj) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package d'appareils du fournisseur | 4-Power Tab |
| Paquet / caisse | 4-SIP |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HTNFET-T Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | HTNFET-T-FT |
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