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Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1

Name: IGT60R190D1SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R190D1SATMA1
Price: 7.017928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (415 reviews)

Numéro de pièce MFG: IGT60R190D1SATMA1

quantité disponible: 18040 Pièces

Prix de référence: USD 7.017928

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IGT60R190D1SATMA1.pdf

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IGT60R190D1SATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IGT60R190D1SATMA1
Numéro de pièce future	FT-IGT60R190D1SATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolGaN™
IGT60R190D1SATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	55.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PG-HSOF-8-3
Paquet / caisse	8-PowerSFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R190D1SATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IGT60R190D1SATMA1-FT

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