maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - RF / HSMS-2828-TR2G
Référence fabricant | HSMS-2828-TR2G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HSMS-2828-TR2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSMS-2828-TR2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky - 1 Bridge |
Tension - Inverse de crête (Max) | 15V |
Courant - Max | 1A |
Capacité @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Résistance @ Si, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Paquet / caisse | TO-253-4, TO-253AA |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-143-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2828-TR2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSMS-2828-TR2G-FT |
BA89202VH6127XTSA1
Infineon Technologies
BAR5002VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6502VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC4003E-3PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EPF10K250EFC672-3
Intel
XC7A200T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFX200EB-04F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020C5
Intel