maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HSM835GE3/TR13
Référence fabricant | HSM835GE3/TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-HSM835GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSM835GE3/TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM835GE3/TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSM835GE3/TR13-FT |
RB751V-40 RRG
Taiwan Semiconductor Corporation
STPS30S45CW
STMicroelectronics
BAS21TMQ-13
Diodes Incorporated
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CMG02(TE12L,Q,M)
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