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Référence fabricant | BAS21TMQ-13 |
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Numéro de pièce future | FT-BAS21TMQ-13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAS21TMQ-13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 250V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 200mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-26 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21TMQ-13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAS21TMQ-13-FT |
S3GHM3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UF5GD1-13
Diodes Incorporated
UF5JD1-13
Diodes Incorporated
UGE0221AY4
IXYS
STTH200F04TV1
STMicroelectronics
1N4549A
Microsemi Corporation
1N6651
Microsemi Corporation
DZ435N40KHPSA1
Infineon Technologies
DZ435N40KS01HPSA1
Infineon Technologies
JAN1N5310-1
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel