maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / CMH04(TE12L,Q,M)
Référence fabricant | CMH04(TE12L,Q,M) |
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Numéro de pièce future | FT-CMH04(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CMH04(TE12L,Q,M) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | M-FLAT (2.4x3.8) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMH04(TE12L,Q,M) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CMH04(TE12L,Q,M)-FT |
1N6651
Microsemi Corporation
DZ435N40KHPSA1
Infineon Technologies
DZ435N40KS01HPSA1
Infineon Technologies
JAN1N5310-1
Microsemi Corporation
NGTD17R120F2SWK
ON Semiconductor
UFT3130C
Microsemi Corporation
MF10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel