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Référence fabricant | HSM1100GE3/TR13 |
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Numéro de pièce future | FT-HSM1100GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HSM1100GE3/TR13 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AA, SMB Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSM1100GE3/TR13 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HSM1100GE3/TR13-FT |
JANTX1N6642UB2R
Microsemi Corporation
JANTXV1N4148UB2R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UB2R
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UBCA
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UBCC
Microsemi Corporation
JANTXV1N6642UBD
Microsemi Corporation
SBR3U40S1F-7
Diodes Incorporated
SDM05U20S3-7
Diodes Incorporated
VS-121NQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-122NQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel