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Référence fabricant | HS1KL RFG |
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Numéro de pièce future | FT-HS1KL RFG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HS1KL RFG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacité @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1KL RFG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HS1KL RFG-FT |
ES1FL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RTG
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ES1FLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
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XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
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10M40DAF256I6G
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LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
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EP4CE30F29I7
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