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Référence fabricant | ES1FLHMQG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1FLHMQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
ES1FLHMQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FLHMQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1FLHMQG-FT |
SS16L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS210LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS215L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel