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Référence fabricant | ES1FL RHG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1FL RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1FL RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FL RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1FL RHG-FT |
SS15L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
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XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
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XC4013XL-1BG256I
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XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation