maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / HCT802
Référence fabricant | HCT802 |
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Numéro de pièce future | FT-HCT802 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HCT802 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 90V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A, 1.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT802 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HCT802-FT |
ALD114904APAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114904PAL
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ALD114913PAL
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ALD114935PAL
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ALD212902PAL
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ALD212904PAL
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ALD212908APAL
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ALD212908PAL
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ALD212914PAL
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ALD1102APAL
Advanced Linear Devices Inc.
XC6SLX9-2TQG144C
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LFE3-150EA-6FN672C
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LCMXO3L-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5MG121I
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EPF10K50RC240-4
Intel