maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / HCT802TX
Référence fabricant | HCT802TX |
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Numéro de pièce future | FT-HCT802TX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HCT802TX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 90V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A, 1.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT802TX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HCT802TX-FT |
ALD114904PAL
Advanced Linear Devices Inc.
ALD114913PAL
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ALD114935PAL
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ALD212902PAL
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ALD212904PAL
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ALD212908APAL
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ALD212908PAL
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ALD212914PAL
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ALD1102APAL
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ALD110800APCL
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APA075-TQ144I
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XCKU035-3FBVA676E
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XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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EP3SL70F484C2
Intel
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Microsemi Corporation
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Intel
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Intel