maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / HCT802TXV
Référence fabricant | HCT802TXV |
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Numéro de pièce future | FT-HCT802TXV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HCT802TXV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 90V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A, 1.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT802TXV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HCT802TXV-FT |
ALD114913PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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