maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HAT2165HWS-E
Référence fabricant | HAT2165HWS-E |
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Numéro de pièce future | FT-HAT2165HWS-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
HAT2165HWS-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2165HWS-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HAT2165HWS-E-FT |
DMT6012LSS-13
Diodes Incorporated
EFC4612R-W-TR
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EFC4615R-TR
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FCH041N65EFLN4
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FCI11N60
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
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EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
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EPF10K130EQC240-3N
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