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Renesas Electronics America HAT2165HWS-E
- Numéro de pièce MFG
- HAT2165HWS-E
- quantité disponible
- 13200 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Renesas Electronics America
- Brève description
- * MOSFET N-CH LFPAK-5
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- HAT2165HWS-E.pdf
HAT2165HWS-E Caractéristiques
| Référence fabricant | HAT2165HWS-E |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-HAT2165HWS-E |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | * |
| HAT2165HWS-E Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Last Time Buy |
| Type de FET | - |
| La technologie | - |
| Drain à la tension source (Vdss) | - |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Paquet / caisse | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HAT2165HWS-E Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | HAT2165HWS-E-FT |
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