maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / EFC4615R-TR
Référence fabricant | EFC4615R-TR |
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Numéro de pièce future | FT-EFC4615R-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EFC4615R-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 24V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.6W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | EFCP1515-4CC-037 |
Paquet / caisse | 4-XBGA, 4-FCBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC4615R-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EFC4615R-TR-FT |
BSP615S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSS119NH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS123/LF1R
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BSS123LT7G
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BSS138-T
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Nexperia USA Inc.
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BSS340NWH6327XTSA1
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XC3S200-4FTG256I
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10M40DCF256C7G
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M2GL060T-FGG676
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A40MX04-PQG100M
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