maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSS123/LF1R
Référence fabricant | BSS123/LF1R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSS123/LF1R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BSS123/LF1R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 150mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 120mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS123/LF1R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSS123/LF1R-FT |
APTC60SKM35T1G
Microsemi Corporation
APTC80DA15T1G
Microsemi Corporation
APTC80SK15T1G
Microsemi Corporation
APTC90DAM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60CT1G
Microsemi Corporation
APTC90SKM60T1G
Microsemi Corporation
APTM100DA18CT1G
Microsemi Corporation
APTM100DA18T1G
Microsemi Corporation
APTM100DA40T1G
Microsemi Corporation
APTM100SK18TG
Microsemi Corporation
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel