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Microsemi Corporation APTC90DAM60CT1G

Name: APTC90DAM60CT1G
Brand: Microsemi Corporation
SKU: APTC90DAM60CT1G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (322 reviews)

Numéro de pièce MFG: APTC90DAM60CT1G

quantité disponible: 15020 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Microsemi Corporation

Brève description: CoolMOS™ MOSFET N-CH 900V 59A SP1

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: APTC90DAM60CT1G.pdf

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APTC90DAM60CT1G Caractéristiques

Référence fabricant	APTC90DAM60CT1G
Numéro de pièce future	FT-APTC90DAM60CT1G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	CoolMOS™
APTC90DAM60CT1G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 52A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 6mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	540nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 100V
Caractéristique FET	Super Junction
Dissipation de puissance (max)	462W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SP1
Paquet / caisse	SP1
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTC90DAM60CT1G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	APTC90DAM60CT1G-FT

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