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Référence fabricant | FCH041N65EFLN4 |
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Numéro de pièce future | FT-FCH041N65EFLN4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRFET®, SuperFET® II |
FCH041N65EFLN4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 76A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 38A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.6mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 298nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12560pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 595W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-4 |
Paquet / caisse | TO-247-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH041N65EFLN4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FCH041N65EFLN4-FT |
BSS138BKW-BX
Nexperia USA Inc.
BSS138LT7G
ON Semiconductor
BSS139H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSS340NWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS670S2LH6433XTMA1
Infineon Technologies
BSS84AK-BR
Nexperia USA Inc.
BSS84AKVL
Nexperia USA Inc.
BSS84AKW-BX
Nexperia USA Inc.
BSS84LT7G
ON Semiconductor
BSZ023N04LSATMA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144C
Xilinx Inc.
XC2V1500-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA450-BGG456
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
A42MX24-1TQG176
Microsemi Corporation
APA150-FGG144A
Microsemi Corporation
EP4SGX230DF29C3NES
Intel
EP20K1000CF33C7N
Intel