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Référence fabricant | BSZ023N04LSATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSZ023N04LSATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSZ023N04LSATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22A (Ta), 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.35 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2630pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSDSON-8-FL |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ023N04LSATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSZ023N04LSATMA1-FT |
APTM100UM65SCAVG
Microsemi Corporation
APTM120DA15G
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APTM120DA29TG
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APTM120DA56T1G
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APTM120DA68T1G
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APTM120SK15G
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APTM120SK29TG
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APTM120SK56T1G
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APTM120SK68T1G
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APTM120U10DAG
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XCV200-5FG256I
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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10AX066H1F34I1SG
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