maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / HAT2141H-EL-E
Référence fabricant | HAT2141H-EL-E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-HAT2141H-EL-E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HAT2141H-EL-E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.5 mOhm @ 7.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 20W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | LFPAK |
Paquet / caisse | SC-100, SOT-669 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2141H-EL-E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HAT2141H-EL-E-FT |
RV3C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
RS1G120MNTB
Rohm Semiconductor
RS1E240GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E200GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E280GNTB
Rohm Semiconductor
RS1G300GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E130GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E150GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E170GNTB
Rohm Semiconductor
RS1E180BNTB
Rohm Semiconductor
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel