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Référence fabricant | RS1E280GNTB |
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Numéro de pièce future | FT-RS1E280GNTB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RS1E280GNTB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 28A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta), 31W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HSOP |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RS1E280GNTB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RS1E280GNTB-FT |
RHU003N03FRAT106
Rohm Semiconductor
RJU002N06FRAT106
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RHU003N03T106
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RTU002P02T106
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RSS065N06FRATB
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RSS070P05FRATB
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RJK005N03T146
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel