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Rohm Semiconductor RS1E200GNTB

Numéro de pièce MFG
RS1E200GNTB
quantité disponible
98200 Pièces
Prix de référence
USD 0.21692
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Date d'expédition
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fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
RS1E200GNTB.pdf
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RS1E200GNTB Caractéristiques

Référence fabricant RS1E200GNTB
Numéro de pièce future FT-RS1E200GNTB
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
RS1E200GNTB Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3W (Ta), 25.1W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-HSOP
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RS1E200GNTB Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange RS1E200GNTB-FT

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