maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / GP2D010A060B
Référence fabricant | GP2D010A060B |
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Numéro de pièce future | FT-GP2D010A060B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Amp+™ |
GP2D010A060B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.65V @ 10A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 527pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2D010A060B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GP2D010A060B-FT |
VSSAF3M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF515-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel