maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF3M6HM3/H
Référence fabricant | VSSAF3M6HM3/H |
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Numéro de pièce future | FT-VSSAF3M6HM3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3M6HM3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 620mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3M6HM3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF3M6HM3/H-FT |
UG06AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA1G
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UG06AHR0G
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UG06B A0G
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UG06B A1G
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UG06B R0G
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UG06BHA0G
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UG06BHA1G
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UG06BHR0G
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UG06C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
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LFE3-17EA-6FTN256C
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LCMXO640E-5FTN256C
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A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
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EP4SGX290KF40I4N
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XC6VHX250T-2FFG1154I
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10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
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