maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / VSSAF512HM3/I
Référence fabricant | VSSAF512HM3/I |
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Numéro de pièce future | FT-VSSAF512HM3/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF512HM3/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 120V |
Capacité @ Vr, F | 360pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | DO-221AC (SlimSMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF512HM3/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VSSAF512HM3/I-FT |
UG06BHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06CHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06CHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06DHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06DHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel