maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / UG06D A1G
Référence fabricant | UG06D A1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-UG06D A1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG06D A1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 600mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 600mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG06D A1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG06D A1G-FT |
SJPX-F2VL
Sanken
SJPX-H3VL
Sanken
SJPX-H6VL
Sanken
SK20H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK20H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel