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Référence fabricant | SJPX-F2VL |
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Numéro de pièce future | FT-SJPX-F2VL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPX-F2VL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPX-F2VL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPX-F2VL-FT |
SFT11GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT12GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT13G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT13G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel