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Référence fabricant | SFT12G A0G |
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Numéro de pièce future | FT-SFT12G A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SFT12G A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SFT12G A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SFT12G A0G-FT |
R7221607CSOO
Powerex Inc.
R7221608ASOO
Powerex Inc.
R7221805ASOO
Powerex Inc.
R7221807CSOO
Powerex Inc.
R7222005ASOO
Powerex Inc.
R7222007CSOO
Powerex Inc.
R7222205ASOO
Powerex Inc.
R7222207CSOO
Powerex Inc.
R7222405ASOO
Powerex Inc.
R7222407CSOO
Powerex Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel