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Référence fabricant | GDZ5V1B-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ5V1B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ5V1B-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 5.1V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 80 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 2µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ5V1B-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ5V1B-E3-08-FT |
GDZ2V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V0B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V2B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C3N
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel