maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ2V0B-HE3-18
Référence fabricant | GDZ2V0B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ2V0B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V0B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 2V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 120µA @ 500mV |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V0B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ2V0B-HE3-18-FT |
BZX384C75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL010-1VFG256
Microsemi Corporation
10M02SCU169A7G
Intel
5SGXEA5K2F35I3L
Intel
5SGXEA7H3F35C3
Intel
A42MX16-2PLG84I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RC240-4
Intel
EPF10K20RC208-4
Intel