maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C8V2-E3-18
Référence fabricant | BZX384C8V2-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C8V2-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C8V2-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 700nA @ 5V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C8V2-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C8V2-E3-18-FT |
BZX384C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel