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Référence fabricant | GDZ2V2B-G3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ2V2B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V2B-G3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 2.2V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 120µA @ 700mV |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V2B-G3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ2V2B-G3-18-FT |
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C9V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ10B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FG676C
Xilinx Inc.
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
LFE5U-85F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N1F45I1SG
Intel
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP1C4F324C8
Intel