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Référence fabricant | GDZ3V6B-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ3V6B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ3V6B-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3.6V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ3V6B-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ3V6B-HE3-08-FT |
GDZ20B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ20B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ22B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150-N3FGG676I
Xilinx Inc.
EP1K100FC256-3
Intel
EP4SGX180KF40C2
Intel
XC6VHX380T-1FFG1155C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-CSG281I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
10AX115H2F34I2SG
Intel
EP4CE30F29I8L
Intel