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Référence fabricant | GDZ22B-HE3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ22B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ22B-HE3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 17V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ22B-HE3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ22B-HE3-18-FT |
BZX384C62-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation