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Référence fabricant | GDZ22B-HG3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ22B-HG3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ22B-HG3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 22V |
Tolérance | ±2% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 17V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ22B-HG3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ22B-HG3-08-FT |
BZX384C68-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C68-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C6V2-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation