maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ3V0B-HE3-08
Référence fabricant | GDZ3V0B-HE3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ3V0B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ3V0B-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 3V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 120 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ3V0B-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ3V0B-HE3-08-FT |
GDZ16B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ16B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ16B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ16B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ16B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ18B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ18B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ18B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ18B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ18B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel