maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / GDZ16B-HE3-08
Référence fabricant | GDZ16B-HE3-08 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GDZ16B-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ16B-HE3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 50 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 12V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ16B-HE3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ16B-HE3-08-FT |
BZX384C4V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2FG484I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2L
Intel
5SGXEA3K2F35C2L
Intel
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-CS196I
Microsemi Corporation
LFXP10E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation