maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Simple / BZX384C51-E3-08
Référence fabricant | BZX384C51-E3-08 |
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Numéro de pièce future | FT-BZX384C51-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BZX384C51-E3-08 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 180 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50nA @ 35.7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C51-E3-08 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BZX384C51-E3-08-FT |
BZX384C16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
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LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel