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Référence fabricant | GDZ18B-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-GDZ18B-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ18B-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolérance | ±4% |
Puissance - Max | 200mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 65 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 13V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-76, SOD-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-323 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ18B-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GDZ18B-E3-18-FT |
BZX384C51-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C51-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C56-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C5V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation