maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC5010-G
Référence fabricant | GBPC5010-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBPC5010-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC5010-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 50A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 25A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC5010-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC5010-G-FT |
DF1504S
Diodes Incorporated
DF1506S
Diodes Incorporated
DF15005S
Diodes Incorporated
DF1501S
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DF1502S
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DF1508S
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DF1510S
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DF08M
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DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
Intel
EP2SGX90FF1508I4
Intel