Référence fabricant | DF08M |
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Numéro de pièce future | FT-DF08M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF08M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 800V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DFM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF08M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF08M-FT |
GBU1002
Diodes Incorporated
GBU610
Diodes Incorporated
GBU804
Diodes Incorporated
GBU1001
Diodes Incorporated
GBU1010
Diodes Incorporated
GBU6005
Diodes Incorporated
GBJ1504-F
Diodes Incorporated
GBJ2506-F
Diodes Incorporated
GBJ2006-F
Diodes Incorporated
GBJ810-F
Diodes Incorporated
A1225A-PQG100I
Microsemi Corporation
EX256-TQ100I
Microsemi Corporation
XCS20-3VQG100C
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156I
Xilinx Inc.
EP4CE22F17C6
Intel
EP3SE260F1152C4LN
Intel
XC2VP30-5FF1152I
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1X
Intel