Référence fabricant | DF02M |
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Numéro de pièce future | FT-DF02M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DF02M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | DFM |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF02M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DF02M-FT |
GBU804
Diodes Incorporated
GBU1001
Diodes Incorporated
GBU1010
Diodes Incorporated
GBU6005
Diodes Incorporated
GBJ1504-F
Diodes Incorporated
GBJ2506-F
Diodes Incorporated
GBJ2006-F
Diodes Incorporated
GBJ810-F
Diodes Incorporated
GBJ802-F
Diodes Incorporated
GBJ1002-F
Diodes Incorporated
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel