maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / GBPC3510-G
Référence fabricant | GBPC3510-G |
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Numéro de pièce future | FT-GBPC3510-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GBPC3510-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 35A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 17.5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | QC Terminal |
Paquet / caisse | 4-Square, GBPC |
Package d'appareils du fournisseur | GBPC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3510-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GBPC3510-G-FT |
DF1510S
Diodes Incorporated
DF08M
Diodes Incorporated
DF04M
Diodes Incorporated
DF02M
Diodes Incorporated
DF06M
Diodes Incorporated
DF10M
Diodes Incorporated
DF01M
Diodes Incorporated
DF15005M
Diodes Incorporated
DF1501M
Diodes Incorporated
DF1502M
Diodes Incorporated
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel